L3號(hào)電解液：Na2SiO3+KOH+MoS2
 


 
 
由表3-13可以看出MoS2的加入一定程度上降低了起始電壓，而對(duì)終止電壓基本沒有影響。但所生成的陶瓷膜層厚度有所增加，且質(zhì)量較好。表面光滑細(xì)膩，膜層接近乳白色，有瓷釉質(zhì)感。但隨其含量增加，膜厚又變小，同時(shí)溶液穩(wěn)定性變差。由添加MoS2的等離子體陶瓷層X-ray衍射譜可以看出，沒有出現(xiàn)含硫化合物的衍射峰(如圖3-27所示)。但由于MoS2的加入使膜層中α-A12O3的含量高于主體系。分析認(rèn)為可能是由于MoS2的加入使微區(qū)弧光放電溫度增加，從而有利于γ-A12O3向α-A12O3的轉(zhuǎn)變。



 
 
分析認(rèn)為，在PEO過程中少量納米MgO隨鋁表面熔融、燒結(jié)，反應(yīng)形成具有陶瓷特性的鎂鋁尖晶石相(MgAl204)。尖晶石是一組分子組成為AB204的等軸晶系的系列化合物。在所有的尖晶石類結(jié)構(gòu)中，氧原子是等同的，以立方密堆積排列。在鎂鋁尖晶石中，由于氧離子比陽離子大得多，鋁和鎂的金屬離子分別按一定的規(guī)律插入在氧離子按最密堆積形成的八面體和四面體空隙中，從而增強(qiáng)陶瓷層的致密性以及耐腐蝕性能。
在添加了納米MgO的電解液中，經(jīng)PEO處理后的陶瓷層表面形貌如圖3-32所示?？梢?，氧化膜層表面有很多近似于圓形的孔洞，直徑不大于5μm，這些都是未封閉的等離子體放電通道。說明在氧化的初始階段，由于產(chǎn)生的放電火花較小，釋放的能量低，不足以使放電通道完全封閉。這些孔洞只存在于氧化膜層的表面，并不是穿過氧化層的通孔。膜層表面還存在大量細(xì)小顆粒，這是由于隨著等離子體電解氧化放電區(qū)瞬間溫度的提高，鎂鋁尖晶石聚集充分，晶體結(jié)晶完善，晶粒長(zhǎng)大，收縮增大。
對(duì)等離子體電解氧化陶瓷層表面進(jìn)行的EDS點(diǎn)分析結(jié)果如圖3-30所示，分別對(duì)應(yīng)圖3-29(b)中的spectrum1和spectrum2兩點(diǎn)?？梢钥闯鰣D中出現(xiàn)了Mg的衍射峰，且對(duì)應(yīng)于白亮點(diǎn)spectrum2處Mg元素含量較spectrum1處由0。59at%提高到了1。46at%。分析認(rèn)為，spectrum2處除了含有等離子體電解氧化反應(yīng)生成的鎂鋁尖晶石相外，還可能同步沉積了納米MgO顆粒，細(xì)小的顆粒之間相互堆積形成了較大的MgO顆粒，因而其Mg元素含量較高。http://www.dgzhenghang.cn